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三菱IPM模塊PM30CMA060
三菱IPM模塊PM30CMA060，IPM由高速、低功率的IGBT芯片和優(yōu)選的門(mén)級(jí)驅(qū)動(dòng)及保護(hù)電路構(gòu)成其中，IGBT是GTR和MOSFET的復(fù)合，由MOSFET驅(qū)動(dòng)GTR，因而IGBT具有兩者的優(yōu)點(diǎn)。IPM根據(jù)內(nèi)部功率電路配置的不同可分為四類(lèi):H型(內(nèi)部封裝一個(gè)IGBT)、D型(內(nèi)部封裝兩個(gè)IGBT)、C型(內(nèi)部封裝六個(gè)IGBT)和R型(內(nèi)部封裝七個(gè)IGBT)。PM30CMA060
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三菱IPM模塊PM30CTJ060
三菱IPM模塊PM30CTJ060，IPM由高速、低功率的IGBT芯片和優(yōu)選的門(mén)級(jí)驅(qū)動(dòng)及保護(hù)電路構(gòu)成其中，IGBT是GTR和MOSFET的復(fù)合，由MOSFET驅(qū)動(dòng)GTR，因而IGBT具有兩者的優(yōu)點(diǎn)。IPM根據(jù)內(nèi)部功率電路配置的不同可分為四類(lèi):H型(內(nèi)部封裝一個(gè)IGBT)、D型(內(nèi)部封裝兩個(gè)IGBT)、C型(內(nèi)部封裝六個(gè)IGBT)和R型(內(nèi)部封裝七個(gè)IGBT)。PM30CTJ060
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三菱IPM模塊PM30CNJ060
三菱IPM模塊PM30CNJ060，IPM由高速、低功率的IGBT芯片和優(yōu)選的門(mén)級(jí)驅(qū)動(dòng)及保護(hù)電路構(gòu)成其中，IGBT是GTR和MOSFET的復(fù)合，由MOSFET驅(qū)動(dòng)GTR，因而IGBT具有兩者的優(yōu)點(diǎn)。IPM根據(jù)內(nèi)部功率電路配置的不同可分為四類(lèi):H型(內(nèi)部封裝一個(gè)IGBT)、D型(內(nèi)部封裝兩個(gè)IGBT)、C型(內(nèi)部封裝六個(gè)IGBT)和R型(內(nèi)部封裝七個(gè)IGBT)。PM30CNJ060
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三菱IPM模塊PM20CVL060-33
三菱IPM模塊PM20CVL060-33，IPM由高速、低功率的IGBT芯片和優(yōu)選的門(mén)級(jí)驅(qū)動(dòng)及保護(hù)電路構(gòu)成其中，IGBT是GTR和MOSFET的復(fù)合，由MOSFET驅(qū)動(dòng)GTR，因而IGBT具有兩者的優(yōu)點(diǎn)。IPM根據(jù)內(nèi)部功率電路配置的不同可分為四類(lèi):H型(內(nèi)部封裝一個(gè)IGBT)、D型(內(nèi)部封裝兩個(gè)IGBT)、C型(內(nèi)部封裝六個(gè)IGBT)和R型(內(nèi)部封裝七個(gè)IGBT)。PM20CVL060-33
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三菱IPM模塊PM20CTM060-3
三菱IPM模塊PM20CTM060-3，IPM由高速、低功率的IGBT芯片和優(yōu)選的門(mén)級(jí)驅(qū)動(dòng)及保護(hù)電路構(gòu)成其中，IGBT是GTR和MOSFET的復(fù)合，由MOSFET驅(qū)動(dòng)GTR，因而IGBT具有兩者的優(yōu)點(diǎn)。IPM根據(jù)內(nèi)部功率電路配置的不同可分為四類(lèi):H型(內(nèi)部封裝一個(gè)IGBT)、D型(內(nèi)部封裝兩個(gè)IGBT)、C型(內(nèi)部封裝六個(gè)IGBT)和R型(內(nèi)部封裝七個(gè)IGBT)。PM20CTM060-3
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三菱IPM模塊PM20CUL060-32L
三菱IPM模塊PM20CUL060-32L，IPM由高速、低功率的IGBT芯片和優(yōu)選的門(mén)級(jí)驅(qū)動(dòng)及保護(hù)電路構(gòu)成其中，IGBT是GTR和MOSFET的復(fù)合，由MOSFET驅(qū)動(dòng)GTR，因而IGBT具有兩者的優(yōu)點(diǎn)。IPM根據(jù)內(nèi)部功率電路配置的不同可分為四類(lèi):H型(內(nèi)部封裝一個(gè)IGBT)、D型(內(nèi)部封裝兩個(gè)IGBT)、C型(內(nèi)部封裝六個(gè)IGBT)和R型(內(nèi)部封裝七個(gè)IGBT)。PM20CUL060-32L
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三菱IPM模塊PM20CHA060
三菱IPM模塊PM20CHA060，IPM由高速、低功率的IGBT芯片和優(yōu)選的門(mén)級(jí)驅(qū)動(dòng)及保護(hù)電路構(gòu)成其中，IGBT是GTR和MOSFET的復(fù)合，由MOSFET驅(qū)動(dòng)GTR，因而IGBT具有兩者的優(yōu)點(diǎn)。IPM根據(jù)內(nèi)部功率電路配置的不同可分為四類(lèi):H型(內(nèi)部封裝一個(gè)IGBT)、D型(內(nèi)部封裝兩個(gè)IGBT)、C型(內(nèi)部封裝六個(gè)IGBT)和R型(內(nèi)部封裝七個(gè)IGBT)。PM20CHA060
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三菱IPM模塊PM20CNJ060
三菱IPM模塊PM20CNJ060，IPM由高速、低功率的IGBT芯片和優(yōu)選的門(mén)級(jí)驅(qū)動(dòng)及保護(hù)電路構(gòu)成其中，IGBT是GTR和MOSFET的復(fù)合，由MOSFET驅(qū)動(dòng)GTR，因而IGBT具有兩者的優(yōu)點(diǎn)。IPM根據(jù)內(nèi)部功率電路配置的不同可分為四類(lèi):H型(內(nèi)部封裝一個(gè)IGBT)、D型(內(nèi)部封裝兩個(gè)IGBT)、C型(內(nèi)部封裝六個(gè)IGBT)和R型(內(nèi)部封裝七個(gè)IGBT)。PM20CNJ060
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三菱IPM模塊PM15RSF060
三菱IPM模塊PM15RSF060，IPM由高速、低功率的IGBT芯片和優(yōu)選的門(mén)級(jí)驅(qū)動(dòng)及保護(hù)電路構(gòu)成其中，IGBT是GTR和MOSFET的復(fù)合，由MOSFET驅(qū)動(dòng)GTR，因而IGBT具有兩者的優(yōu)點(diǎn)。IPM根據(jù)內(nèi)部功率電路配置的不同可分為四類(lèi):H型(內(nèi)部封裝一個(gè)IGBT)、D型(內(nèi)部封裝兩個(gè)IGBT)、C型(內(nèi)部封裝六個(gè)IGBT)和R型(內(nèi)部封裝七個(gè)IGBT)。PM15RSF060
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三菱IPM模塊PM15CTM060-3
三菱IPM模塊PM15CTM060-3，IPM由高速、低功率的IGBT芯片和優(yōu)選的門(mén)級(jí)驅(qū)動(dòng)及保護(hù)電路構(gòu)成其中，IGBT是GTR和MOSFET的復(fù)合，由MOSFET驅(qū)動(dòng)GTR，因而IGBT具有兩者的優(yōu)點(diǎn)。IPM根據(jù)內(nèi)部功率電路配置的不同可分為四類(lèi):H型(內(nèi)部封裝一個(gè)IGBT)、D型(內(nèi)部封裝兩個(gè)IGBT)、C型(內(nèi)部封裝六個(gè)IGBT)和R型(內(nèi)部封裝七個(gè)IGBT)。PM15CTM060-3
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三菱IPM模塊PM15CTM060
三菱IPM模塊PM15CTM060，IPM由高速、低功率的IGBT芯片和優(yōu)選的門(mén)級(jí)驅(qū)動(dòng)及保護(hù)電路構(gòu)成其中，IGBT是GTR和MOSFET的復(fù)合，由MOSFET驅(qū)動(dòng)GTR，因而IGBT具有兩者的優(yōu)點(diǎn)。IPM根據(jù)內(nèi)部功率電路配置的不同可分為四類(lèi):H型(內(nèi)部封裝一個(gè)IGBT)、D型(內(nèi)部封裝兩個(gè)IGBT)、C型(內(nèi)部封裝六個(gè)IGBT)和R型(內(nèi)部封裝七個(gè)IGBT)。小功率的IPM使用多層環(huán)氧絕緣系統(tǒng)，
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三菱IPM模塊PM15CEG060
三菱IPM模塊PM15CEG060，IPM由高速、低功率的IGBT芯片和優(yōu)選的門(mén)級(jí)驅(qū)動(dòng)及保護(hù)電路構(gòu)成其中，IGBT是GTR和MOSFET的復(fù)合，由MOSFET驅(qū)動(dòng)GTR，因而IGBT具有兩者的優(yōu)點(diǎn)。IPM根據(jù)內(nèi)部功率電路配置的不同可分為四類(lèi):H型(內(nèi)部封裝一個(gè)IGBT)、D型(內(nèi)部封裝兩個(gè)IGBT)、C型(內(nèi)部封裝六個(gè)IGBT)和R型(內(nèi)部封裝七個(gè)IGBT)。小功率的IPM使用多層環(huán)氧絕緣系統(tǒng)，
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三菱IPM模塊PM20CTM060-01
三菱IPM模塊PM20CTM060-，IPM由高速、低功率的IGBT芯片和優(yōu)選的門(mén)級(jí)驅(qū)動(dòng)及保護(hù)電路構(gòu)成其中，IGBT是GTR和MOSFET的復(fù)合，由MOSFET驅(qū)動(dòng)GTR，因而IGBT具有兩者的優(yōu)點(diǎn)。IPM根據(jù)內(nèi)部功率電路配置的不同可分為四類(lèi):H型(內(nèi)部封裝一個(gè)IGBT)、D型(內(nèi)部封裝兩個(gè)IGBT)、C型(內(nèi)部封裝六個(gè)IGBT)和R型(內(nèi)部封裝七個(gè)IGBT)。小功率的IPM使用多層環(huán)氧絕緣系統(tǒng)，
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三菱IPM模塊PM15CEE060
三菱IPM模塊PM15CEE060，IPM由高速、低功率的IGBT芯片和優(yōu)選的門(mén)級(jí)驅(qū)動(dòng)及保護(hù)電路構(gòu)成其中，IGBT是GTR和MOSFET的復(fù)合，由MOSFET驅(qū)動(dòng)GTR，因而IGBT具有兩者的優(yōu)點(diǎn)。IPM根據(jù)內(nèi)部功率電路配置的不同可分為四類(lèi):H型(內(nèi)部封裝一個(gè)IGBT)、D型(內(nèi)部封裝兩個(gè)IGBT)、C型(內(nèi)部封裝六個(gè)IGBT)和R型(內(nèi)部封裝七個(gè)IGBT)。小功率的IPM使用多層環(huán)氧絕緣系統(tǒng)，
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三菱IPM模塊PM15CMA060
三菱IPM模塊PM15CMA060，IPM由高速、低功率的IGBT芯片和優(yōu)選的門(mén)級(jí)驅(qū)動(dòng)及保護(hù)電路構(gòu)成其中，IGBT是GTR和MOSFET的復(fù)合，由MOSFET驅(qū)動(dòng)GTR，因而IGBT具有兩者的優(yōu)點(diǎn)。IPM根據(jù)內(nèi)部功率電路配置的不同可分為四類(lèi):H型(內(nèi)部封裝一個(gè)IGBT)、D型(內(nèi)部封裝兩個(gè)IGBT)、C型(內(nèi)部封裝六個(gè)IGBT)和R型(內(nèi)部封裝七個(gè)IGBT)。小功率的IPM使用多層環(huán)氧絕緣系統(tǒng)，
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三菱IPM模塊PM15CNA060
三菱IPM模塊PM15CNA060，IPM由高速、低功率的IGBT芯片和優(yōu)選的門(mén)級(jí)驅(qū)動(dòng)及保護(hù)電路構(gòu)成其中，IGBT是GTR和MOSFET的復(fù)合，由MOSFET驅(qū)動(dòng)GTR，因而IGBT具有兩者的優(yōu)點(diǎn)。IPM根據(jù)內(nèi)部功率電路配置的不同可分為四類(lèi):H型(內(nèi)部封裝一個(gè)IGBT)、D型(內(nèi)部封裝兩個(gè)IGBT)、C型(內(nèi)部封裝六個(gè)IGBT)和R型(內(nèi)部封裝七個(gè)IGBT)。小功率的IPM使用多層環(huán)氧絕緣系統(tǒng)，
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三菱IPM模塊PM10CNJ060
三菱IPM模塊PM10CNJ060，IPM由高速、低功率的IGBT芯片和優(yōu)選的門(mén)級(jí)驅(qū)動(dòng)及保護(hù)電路構(gòu)成其中，IGBT是GTR和MOSFET的復(fù)合，由MOSFET驅(qū)動(dòng)GTR，因而IGBT具有兩者的優(yōu)點(diǎn)。IPM根據(jù)內(nèi)部功率電路配置的不同可分為四類(lèi):H型(內(nèi)部封裝一個(gè)IGBT)、D型(內(nèi)部封裝兩個(gè)IGBT)、C型(內(nèi)部封裝六個(gè)IGBT)和R型(內(nèi)部封裝七個(gè)IGBT)。小功率的IPM使用多層環(huán)氧絕緣系統(tǒng)，
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三菱IPM模塊PM10CMA060
三菱IPM模塊PM10CMA060，IPM由高速、低功率的IGBT芯片和優(yōu)選的門(mén)級(jí)驅(qū)動(dòng)及保護(hù)電路構(gòu)成其中，IGBT是GTR和MOSFET的復(fù)合，由MOSFET驅(qū)動(dòng)GTR，因而IGBT具有兩者的優(yōu)點(diǎn)。IPM根據(jù)內(nèi)部功率電路配置的不同可分為四類(lèi):H型(內(nèi)部封裝一個(gè)IGBT)、D型(內(nèi)部封裝兩個(gè)IGBT)、C型(內(nèi)部封裝六個(gè)IGBT)和R型(內(nèi)部封裝七個(gè)IGBT)。小功率的IPM使用多層環(huán)氧絕緣系統(tǒng)，
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三菱IPM模塊PM30CSJ060
三菱IPM模塊PM30CSJ060，IPM由高速、低功率的IGBT芯片和優(yōu)選的門(mén)級(jí)驅(qū)動(dòng)及保護(hù)電路構(gòu)成其中，IGBT是GTR和MOSFET的復(fù)合，由MOSFET驅(qū)動(dòng)GTR，因而IGBT具有兩者的優(yōu)點(diǎn)。IPM根據(jù)內(nèi)部功率電路配置的不同可分為四類(lèi):H型(內(nèi)部封裝一個(gè)IGBT)、D型(內(nèi)部封裝兩個(gè)IGBT)、C型(內(nèi)部封裝六個(gè)IGBT)和R型(內(nèi)部封裝七個(gè)IGBT)。小功率的IPM使用多層環(huán)氧絕緣系統(tǒng)，
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三菱IPM模塊PM20CSJ060
三菱IPM模塊PM20CSJ060，IPM由高速、低功率的IGBT芯片和優(yōu)選的門(mén)級(jí)驅(qū)動(dòng)及保護(hù)電路構(gòu)成其中，IGBT是GTR和MOSFET的復(fù)合，由MOSFET驅(qū)動(dòng)GTR，因而IGBT具有兩者的優(yōu)點(diǎn)。IPM根據(jù)內(nèi)部功率電路配置的不同可分為四類(lèi):H型(內(nèi)部封裝一個(gè)IGBT)、D型(內(nèi)部封裝兩個(gè)IGBT)、C型(內(nèi)部封裝六個(gè)IGBT)和R型(內(nèi)部封裝七個(gè)IGBT)。小功率的IPM使用多層環(huán)氧絕緣系統(tǒng)，
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