FUJI富士IGBT模塊6MBI75S-120-50，N通道 IGBT 模塊發(fā)射極-集電極、六（3x雙）, 100A 1200V,IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。

產(chǎn)品型號(hào)：6MBI75S-120-50
廠商性質(zhì)：經(jīng)銷(xiāo)商
更新時(shí)間：2024-01-19
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北京京誠(chéng)宏泰科技原裝正品銷(xiāo)售FUJI富士IGBT模塊6MBI75S-120-50 ；N通道 IGBT 模塊發(fā)射極-集電極、六（3x雙）, 100A 1200V, 21針 M626封裝

zui大功率耗散   520 W
   zui大柵極發(fā)射極電壓   ±20V
   zui大連續(xù)集電極電流   100 A
   zui大集電極-發(fā)射極電壓   1200 V
   zui高工作溫度   +150 °C
   通道類(lèi)型   N
   配置   發(fā)射極-集電極、六（3x雙）
   長(zhǎng)度   122mm
   高度   17mm

日本富士 IGBT模塊 6單元600V系列：
6MBI10L-060	6MBI15L-060	6MBI20L-060	6MBI30L-060
6MBI10F-060	6MBI15F-060	6MBI20F-060	6MBI30F-060
6MBI10N-060	6MBI15N-060	6MBI20N-060	6MBI30N-060
6MBI50L-060	6MBI75L-060	6MBI100L-060	6MBI15LS-060
6MBI50F-060	6MBI75F-060	6MBI100F-060	6MBI40SS-060-01
6MBI50N-060	6MBI75N-060	6MBI100N-060	6MBI50J-060
6MBI30FA-060	6MBI50FA-060	6MBI60FA-060	6MBI75FA-060
6MBI75U2A-060	6MBI100FA-060	6MBI150SA-060	6MBI200SA-060
6MBI100J-060	6MBI150FB-060	6MBI100U2B-060	6MBI150U2B-060
6MBI200FB-060	6MBI100S-060
日本富士 IGBT模塊 6單元1200V系列：
6MBI8L-120	6MBI8F-120	6MBI8N-120	6MBI15L-120
6MBI15F-120	6MBI15N-120	6MBI25L-120	6MBI25F-120
6MBI25N-120	6MBI25J-120	6MBI25LB-120	6MBI50L-120
6MBI5F-120	6MBI50N-120	6MBI50J-120	6MBI75SA-120
6MBI100SA-120	6MBI75U4B-120	6MBI75UB-120	6MBI75UC-120
6MBI100UC-120	6MBI100U4B-120	6MBI15S-120	6MBI25S-120
6MBI35S-120	6MBI50UA-120	6MBI50U4A-120	6MBI50S-120
6MBI75S-120	6MBI75UA-120	6MBI75U4A-120	6MBI100S-120
6MBI150U4B-120	6MBI150U4S-120A	6MBI150UB-120